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霍尔效应用公式表示为：
E=KBIcosθ。
E为霍尔效应电压，单位为伏特（V）；来源:----https://62v5.com/zhishi/202412-5.html
I是霍尔器件的工作电流，单位为安培（A）；
B是外部磁场的磁感应强度，单位为特斯拉（T）
θ为I与B的垂直角度的偏差，单位可以是角度（°）或弧度（rad）。来源:----https://www.nanren30.com/cshi/202412-7.html
K为霍尔器件的灵敏度，是常数；其单位为：V/(A.T)来源:----https://nanren30.com/bkjj/202412-6.html。
霍尔元件电导率怎么求
因为霍尔电压公式是E等于kBI/d，霍尔元件和等离子磁流体发电是一个原理的，其中公式的系数k1/n（n为导体单位横截面积的载流子数）说到这里就能看出当BI一定时不同材料的k与d不同时霍尔电压是不同的，当d做到很薄不能再薄（很厚）时只能通过改变k来提高（降低）霍尔电压，
而一般材料的K基本是固定的或随外界因素（温度）改变的，这就是系数变量，而半导体导电是因为能在硅储中掺杂的不同浓度的物质，
而这种掺杂使得半导体中的载流子浓度能受人为控制（也就是单位横截面积的载流子数能人为控制）从而改变了K，其实这公式些就跟人们发现的电阻率公式类似，起到了对电子元件的微型化的作用。
扩展资料：
霍尔元件应用霍尔效应的半导体。
所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。
当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。来源:----https://wzwebi.com/cshi/202501-167.html
由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。
若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定来源:----https://www.wzwebi.com/cshi/202501-167.html。
利用这种方法可以构成霍尔功率传感器,如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号来源:----https://www.nanren30.com/xwzx/202412-79.html。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。
百度百科-霍尔元件
电导率 = （霍尔片长L*工作电流Is）/（电压U*霍尔片宽b*霍尔片高d）来源:----https://62v5.com/cshi/202501-174.html。
在实验仪器上，标注有霍尔片的规格，直接代入公式就行，注意单位的统一。
Is -- A ，U -- V，L d b --- cm，电导率 ---欧姆*cm
霍尔系数Rh＝U*d/IB，U为霍尔电压，单位mV，d为霍尔元件du厚度，单位为μm，I为工作电流，单位为mA，B为磁场强度，单位为T来源:----https://wzwebi.com/cshi/202501-174.html
载流子浓度n＝1/|Rh|
迁移率＝Kh*(L/l)*(I/U )
L为霍尔元件长度，U为工作电压，I为工作电流。
Kh为霍尔元件灵敏度，Kh＝U/IB, U为霍尔电压，I为工作电流，B为磁场强度
扩展资料：
在产生霍尔效应的同时，还伴随着各种附效应，所以实验测到的并不等于真实的霍尔电压值，而是包含着各种附效应所引起的附加电压。
不等势电压降，这是由于测量霍尔电压的电极和的位置很难做到在一个理想的等势面上，因此当有电流通过时，既使不加磁场也会产生附加的电压。但附加电压的符号只与电流的方向有关，与磁场的方向无关，因此，对此附加电压可通过改变的方向予以消除来源:----https://www.wzwebi.com/cshi/202501-169.html。
百度百科-霍尔效应实验来源:----https://wzwebi.com/cshi/202501-163.html
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