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霍尔电位差UH的基本关系为 来源:https://drill-pipe.com/bkjj/202412-36.html

UH=RHIB/d

RH=1/nq（金属）

式中 RH——霍尔系数： 来源:https://shiyua.com/cshi/202412-34.html

n——载流子浓度或自由电子浓度；

q——电子电量；

I——通过的电流； 来源:https://shiyua.com/bkjj/202412-65.html

B——垂直于I的磁感应强度；

d——导体的厚度。

所以只与元件的厚度，磁感应强度，和元件本身有关来源:https://drill-pipe.com/cshi/202501-513.html

一、霍尔传感器原理- -霍尔效应

霍尔效应的电路示意图如下图所示，霍尔效应指的是：若在半导体薄片两端通以控制电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的均匀磁场，则在电流I和磁场B的垂直方向上将会产生电势差UH，UH=k*IB/d，其中k指的是霍尔系数，与半导体的大小及材料等因素有关，d指的是半导体薄片的厚度，我们将产生的电势差UH称为霍尔电压，将这种现象称之为霍尔效应。

二、霍尔传感器原理- -霍尔元件来源:https://liuxinsheng.com/cshi/202501-184.html

随着霍尔效应的发现，人们逐步将半导体材料制成的元件称为霍尔元件，由于霍尔元件结构简单、敏感度高、频响范围宽、输出电压变化大、体积小、寿命长等诸多优点，在检测测量、自动化装置、计算机及信息技术等各领域中都有着广泛的应用来源:https://liuxinsheng.com/cshi/202412-11.html。来源:https://liuxinsheng.com/zhishi/202412-109.html

三、霍尔传感器原理- -霍尔传感器

霍尔传感器是利用霍尔效应、使用霍尔元件制作出的一种磁场传感器，该传感器除霍尔元件外，一般还包括放大器电路、温度补偿电路、稳压电源电路等电路模块，现已广泛用于半导体材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等参数的检测来源:https://shiyua.com/bkjj/202412-85.html。网页链接来源:https://drill-pipe.com/cshi/202501-1029.html

四、霍尔传感器原理- -应用

以上对于霍尔效应、霍尔元件、霍尔传感器的讲解都较为抽象，下面我们结合现实生活来对霍尔传感器的应用进行说明。现在部分小伙伴使用的是一个叫做“小米”的手机，相信广大网友即使没用过也听说过吧，就在小米4的发布会上，还同时发布了一个智能翻盖保护套。这款保护套的特殊之处就是当你闭合保护套时，小米4自动进入休眠状态;而当你翻开保护套时，小米4自动进入使用状态，无需点任何按钮就可完成手机的唤醒——回归正题，此处手机对于保护套闭合或者翻开的感应就是通过霍尔传感器来完成的(此处有掌声。来源:https://drill-pipe.com/cshi/202501-550.html。来源:https://liuxinsheng.com/cshi/202412-52.html。)来源:https://www.drill-pipe.com/cshi/202501-450.html。

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